Name: DMN6069SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6069SE-13DITR-ND
Price: 0.7028 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN6069SE-13
DigiKeyn tuotenumero	DMN6069SE-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN6069SE-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN6069SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN6069SE-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 4,3A (Ta), 10A (Tc) 2,2W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-223-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Valm. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 825 pF @ 30 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,2W (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 4,3A (Ta), 10A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Valmistajan laitepakkaus SOT-223-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 69mOhm @ 3A, 10V	Pakkaus / kotelo TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA	Päätuotenumero DMN6069

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 740

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)