Name: DMN3032LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LE-13DITR-ND
Price: 0.99145 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN3032LE-13
DigiKeyn tuotenumero	DMN3032LE-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN3032LE-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN3032LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN3032LE-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 5,6A (Ta) 1,8W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-223-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMN3032LE-13 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 498 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 1,8W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5,6A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus SOT-223-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-261-4, TO-261AA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 3,2A, 10V	Päätuotenumero DMN3032

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 95 515

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)