Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 0.81575 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMG3415UFY4Q-7
DigiKeyn tuotenumero	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMG3415UFY4Q-7
Kuvaus	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 16 V 2,5A (Ta) 650mW (Ta) Kiinnitys pintaan X2-DFN2015-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMG3415UFY4Q-7 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Valm. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±8V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 282 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 650mW (Ta)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 16 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2,5A (Ta)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,8V, 4,5V	Valmistajan laitepakkaus X2-DFN2015-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4A, 4,5V	Pakkaus / kotelo 3-XDFN
Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250µA	Päätuotenumero DMG3415

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 33 502

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)