Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 0.64005 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMG3415UFY4Q-7
DigiKeyn tuotenumero	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMG3415UFY4Q-7
Kuvaus	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 16 V 2,5A (Ta) 650mW (Ta) Kiinnitys pintaan X2-DFN2015-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMG3415UFY4Q-7 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	16 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	39mOhm @ 4A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	282 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	650mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	X2-DFN2015-3
Pakkaus / kotelo	3-XDFN
Päätuotenumero	DMG3415