Name: DGTD65T15H2TF
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DGTD65T15H2TFDI-ND
Price: 1.92015 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DGTD65T15H2TF
DigiKeyn tuotenumero	DGTD65T15H2TFDI-ND
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DGTD65T15H2TF
Kuvaus	IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	IGBT Kenttäpysäytys 650 V 30 A 48 W Läpivientiaukko ITO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit IGBT-piirit Yksittäiset IGBT-transistorit
Valmistaja	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
IGBT-tyyppi	Kenttäpysäytys
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)	650 V
Virta - kollektori (Ic) (maks.)	30 A
Virta - kollektorin pulssi (Icm)	60 A
Vce(on) (maks.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 15A
Teho - maksimi	48 W
Kytkentäenergia	270µJ (päällä), 86µJ (pois päältä)
Tulon tyyppi	Standardi
Hilan varaus	61 nC
Td (päällä / pois päältä) @ 25°C	19ns/128ns
Testitila	400V, 15A, 10Ohm, 15V
Käänteinen elpymisaika (trr)	150 ns
Toimintalämpötila	-40°C – 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo	TO-220-3, täysi pakkaus, Eristetty liuska
Valmistajan laitepakkaus	ITO-220AB
Päätuotenumero	DGTD65

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Varastossa: 1 150

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki