CDM22010-650 SL on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


Rochester Electronics, LLC
Varastossa: 75 775
Yksikköhinta : 541,08000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rochester Electronics, LLC
Varastossa: 10 047
Yksikköhinta : 290,58000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Vishay Siliconix
Varastossa: 896
Yksikköhinta : 1 145,62000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Vishay Siliconix
Varastossa: 1 063
Yksikköhinta : 1 145,62000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 445
Yksikköhinta : 1 028,72000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 650 V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

CDM22010-650 SL

DigiKeyn tuotenumero
CDM22010-650SL-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
CDM22010-650 SL
Kuvaus
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
EDA/CAD-mallit
CDM22010-650 SL -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1168 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
2W (Ta), 156W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-220-3
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.