FET, MOSFET
53 257 TuloksetFET- ja MOSFET-transistorit
MOSFET-transistoria valittaessa on tärkeää sovittaa sen sähköiset ominaisuudet käytettävän sovelluksen mukaan. Aloita varmistamalla, että hila-lähde-jännite (VDS) on korkeampi kuin käytettävän piirin korkein jännite. Seuraavaksi katso hilan kynnysjännite (VGS(th)). Jos käytät mikrokontrolleria (3,3 V tai 5 V:n logiikka), tarvitset logiikkatason MOSFET-transistorin, joka aukeaa täysin näin alhaisilla jännitteillä. Jatkuvan nieluvirran (ID) on oltava vähintään kuorman käyttämä virta ja alhainen johtamisresistanssi RDS(on)) minimoi lämpö- ja tehohäviöitä.
MOSFET-transistoreita on kahta päätyyppiä: n-kanava ja p-kanava. Näistä kumpaakin on saatavilla sekä avaus- että tyhjennystyyppisenä. N-kanavan avaustyyppisiä MOSFET-transistoreja käytetään eniten niiden korkeamman elektroniliikkuvuuden vuoksi. Tämä mahdollistaa alhaisemman johtamisresistanssin ja paremman kytkentätehokkuuden. Sekä MOSFET- että BJT-transistoreja (bipolaarinen liitostransistori) käytetään kytkiminä ja vahvistimina. Näistä MOSFET-transistoreja ohjataan jännitteellä ja BJT-transistoreja virralla. Tämä antaa MOSFET-transistoreille merkittävän edun huippunopeissa, matalatehoisissa ja lämpöherkissä sovelluksissa.