TPSM63606 korkean tiheyden 6 A:n tehomoduuli

Texas Instrumentsin TPSM63606 on erittäin integroitu 6 A:n synkroninen DC/DC-jännitteenalennustehomoduuli, joka yhdistää MOSFET-tehotransistorit, suojatun induktiokelan sekä passiivikomponentit parannetussa HotRod QFN -kotelossa. Moduulin V_IN- ja V_OUT-nastat sijaitsevat kotelon kulmissa ja ne on optimoitu tulo- ja lähtökondensaattorin sijoittelua ajatellen. Moduulin alla sijaitsevat neljä kookkaampaa jäähdytysaluetta mahdollistavat yksinkertaisen layoutin ja niitä on helppo käsitellä valmistuksen aikana. Laitteen lähtöjännitealue on 1 V – 16 V ja TPSM63606 on suunniteltu niin, että sillä voidaan nopeasti ja helposti toteuttaa EMI-päästöiltään alhainen ja vähän piirilevytilaa vaativa ratkaisu. Kokonaisratkaisu vaatii ainoastaan neljä ulkoista komponenttia ja poistaa magneettisten ja kompensointiosien valinnan suunnitteluprosessista.

Vaikka se on tarkoitettu yksinkertaistamaan pienikokoisten ja tilarajoitteisten sovellusten suunnittelua, TPSM63606-moduuli tarjoaa lukuisia suorituskyvyn robustisuutta parantavia ominaisuuksia, mukaan lukien tarkkuustilan ohjaus hystereesillä säädettävälle UVLO-tulojännitteelle, vastuksella asetettava kytkinsolmun muuttumisnopeus sekä EMI-ominaisuuksia parantava hajaspektrivaihtoehto. Integroitu V_CC, käynnistys sekä tulokondensaattorit parantavat luotettavuutta ja tiheyttä ja ne tarjoavat tasaisen kytkentätaajuuden koko kuormitusvirta-alueella. Laite tarjoaa myös PGOOD-indikaattorin sekvensointia varten, vikasuojauksen sekä lähtöjännitteen seurannan.