ROHM Semiconductor

SiC Power MOSFETs

ROHM’s SiC MOSFETs feature low ON resistance and low switching loss

Image of ROHM Semiconductor's SiC Power MOSFETsROHM’s silicon carbide (SiC) MOSFETs are available in a range of current ratings and packages. They come in a variety of ON resistances and voltage (VDSS) ratings of 650 V, 1,200 V, or 1,700 V. Unlike IGBTs there is no tail current during turn-off resulting in faster operation and reduced switching loss. Also, unlike silicon devices, the ON resistance remains relatively constant even at high temperatures, minimizing conduction losses. Bare dies up to 1,700 V are also available.

Features
  • Fast switching with low loss
  • Maximum junction temperature: +175°C
  • Packaged devices rated at 650 V, 1,200 V, or 1,700 V
  • ON resistance from 17 mΩ to 1,150 mΩ
  • Spice model and thermal model available
  • 3rd gen trench technology with low input capacitance (CISS) and low gate charge (QG)
  • DC blocking voltage: 650 V, 1,200 V, 1,700 V
  • Minimal switching losses
  • Operating temperature range: -40°C to +175°C
Applications
  • Inverters for induction heating
  • Motor drive inverters
  • Bidirectional converters
  • Solar inverters
  • Power conditioners

3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4LSCT3040KRC14SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L801 - Immediate$37.22Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4LSCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L130 - Immediate$15.25Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4LSCT3105KRC14SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L102 - Immediate$18.37Näytä tiedot
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4LSCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L123 - Immediate$41.26Näytä tiedot
SICFET N-CH 650V 39A TO247-4LSCT3060ARC14SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L334 - Immediate$18.54Näytä tiedot
SICFET N-CH 650V 30A TO247-4LSCT3080ARC14SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L249 - Immediate$17.34Näytä tiedot

SiC Power MOSFETs Single

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - ImmediateSee Page for PricingNäytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - Immediate$12.53Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2470 - Immediate$7.10Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE0 - Immediate$524.70Näytä tiedot
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Immediate$3.00Näytä tiedot

SiC Power MOSFETs Arrays

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE0 - Immediate$273.42Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Immediate$315.47Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Immediate$383.27Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediate$483.16Näytä tiedot
Updated: 2019-11-01
Published: 2019-04-30

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publish Date: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
SiC Schottky Barrier Diodes ROHM’s SiC Schottky barrier diodes are AEC-Q101 qualified for automotive use.

Related Articles and Blogs

Häviöiden vähentäminen, hyötysuhteen parantaminen ja lämpötila-alueen laajentaminen suurtehosovelluksissa Suunnittelijat voivat käyttää 4. sukupolven SiC MOSFET ‑transistoreja hyötysuhteen parantamiseen, kustannusten vähentämiseen sekä suurjännitteisten ja suurivirtaisten ohjauspiirien koon pienentämiseen.
Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Leveän energiaraon puolijohteet ilmailu- ja satelliittisovelluksissa Leveän energiaraon puolijohteilla on useita etuja tehonmuunnossa, kuten parempi tehotiheys ja hyötysuhde sekä pienempi järjestelmän koko ja paino.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Trench MOSFETs Minimal reverse recovery behavior of the parasitic diode and supports high-speed switching.