VideoLibrary

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

ROHM SiC MOSFETs have been adopted in Midnite Solar’s high power charge controllers, inverters, and state-of-the-art inverter/charger systems utilize that demand higher efficiency operation, a robust design, and long operational life.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

KuvaManufacturer Part NumberKuvausDiodikonfiguraatioTeknologiaJännite - käänteinen DC (Vr) (maks.)Saatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2471 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V2 - Immediate$15.11Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEPiikarbidi (SiC)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-61 - Immediate$272.94Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEPiikarbidi (SiC)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-13 - Immediate$482.32Näytä tiedot
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V12A930 - Immediate$5.73Näytä tiedot
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V5A998 - Immediate$5.62Näytä tiedot
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V2,15A1234 - Immediate$2.54Näytä tiedot
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V10A264 - Immediate$8.05Näytä tiedot
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V20A390 - Immediate$12.53Näytä tiedot
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N1 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V0 - Immediate$7.24Näytä tiedot
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N1 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V545 - Immediate$12.06Näytä tiedot
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-2471 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V450 - Immediate$9.48Näytä tiedot
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N1 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V0 - Immediate$12.90Näytä tiedot
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V79 - Immediate$8.70Näytä tiedot
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V199 - Immediate$8.91Näytä tiedot
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N1 pari yhteinen katodiSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V150 - Immediate$21.02Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEPiikarbidi (SiC)2 N-kanavaa (puolisilta)-16 - Immediate$671.51Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V8A786 - Immediate$3.38Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V10A0 - ImmediateSee Page for PricingNäytä tiedot
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEMOSFET-134 A7 - Immediate$255.65Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEPiikarbidi (SiC)2 N-kanavaa (puolisilta)-6 - Immediate$1,174.36Näytä tiedot

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Publish Date: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
BD3430 DAC Chip - MUS-ICT™ Series ROHM’s MUS-ICT series contains the BD3430 DAC chip, a high-grade audio IC.

Related Articles and Blogs

Häviöiden vähentäminen, hyötysuhteen parantaminen ja lämpötila-alueen laajentaminen suurtehosovelluksissa Suunnittelijat voivat käyttää 4. sukupolven SiC MOSFET ‑transistoreja hyötysuhteen parantamiseen, kustannusten vähentämiseen sekä suurjännitteisten ja suurivirtaisten ohjauspiirien koon pienentämiseen.
Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Leveän energiaraon puolijohteet ilmailu- ja satelliittisovelluksissa Leveän energiaraon puolijohteilla on useita etuja tehonmuunnossa, kuten parempi tehotiheys ja hyötysuhde sekä pienempi järjestelmän koko ja paino.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.