Miten valita tehokomponenttien ohjaimet ja päästä alkuun niiden kanssa

Jokainen erillinen virrankytkentälaite tarvitsee ohjaimen riippumatta siitä, onko kyseessä MOSFET-transistori, piikarbidi-MOSFET-transistori (SiC), IGBT-transistori tai moduuli. Ohjain toimii liitäntäkomponenttina tai ”siltana” valvotussa ja suotuisassa tilanteessa toimivan järjestelmäprosessorin alhaisen jännite- ja virtalähdön sekä virrankytkentälaitteen levottoman maailman välissä, jossa on tiukat vaatimukset virralle, jännitteelle ja ajoitukselle.

Sopivan ohjaimen valinta virrankytkentälaitteelle on haastavaa suunnittelijoille tehokomponenttien omalaatuisuuksien ja väistämättömien virtapiirissä ja layoutissa esiintyvien loisvirtojen vuoksi. Kytkintyypin (pii (Si) tai piikarbidi (SiC)) ja käyttökohteen parametrit on huomioitava tarkasti. Tehokomponenttien valmistajat ehdottavat ja jopa tarjoavat usein sopivia ohjaimia, mutta eräät ohjaimiin liittyvät tekijät on valittava käyttökohteeseen mukaan.

Vaikka useimmissa tapauksissa tähän tarkoitukseen on looginen perusmenetelmä, jotkin hilaohjauksessa käytettävän vastuksen arvon kaltaiset asetukset määritetään iteratiivisella analyysillä, ja ne on myös vahvistettava käytännön testauksella ja arvioinnilla. Nämä vaiheet voivat vaikeuttaa jo valmiiksi monimutkaista prosessia ja hidastaa suunnittelua ilman selkeitä ohjeita.

Tässä artikkelissa käsitellään lyhyesti hilaohjaimen roolia. Sen jälkeen artikkelissa annetaan ohjeita ohjaimen valintaan ja vaiheisiin, jotka tarvitaan varmistamaan yhteensopivuus valitun virrankytkentälaitteen kanssa. Siinä esitellään avainasioiden korostamiseksi esimerkkejä ala- ja yläpuolen tehokomponenteista Infineon Technologies AG ‑yritykseltä sekä niihin liittyviä evaluointikortteja ja -sarjoja.

Hilaohjaimen rooli

Yksinkertaisimmillaan hilaohjain on tehovahvistin, joka ottaa vastaan jännitteeltään ja teholtaan matalan ohjaussyötteen ohjainmikropiiriltä (joka on yleensä suoritin) ja muodostaa hilaohjauksen korkealla virralla ja tarvittavalla jännitteellä tehokomponentin kytkemiseksi päälle ja pois päältä. Tämän yksinkertaisen määritelmän takana on monimutkainen maailma, johon kuuluu jännitteitä, virtaa, muuttumisnopeuksia, loisvirtoja, transientteja ja suojausta sekä paljon muita ongelmia. Ohjaimen on vastattava järjestelmän tarpeisiin ja ohjattava virtakytkintä tarkasti ilman ylityksiä ja värähtelyä, vaikka loisvirrat ja transientit aiheuttavatkin yhä enemmän haasteita kytkentänopeuksien kasvaessa.

Ohjaimia voidaan käyttää erilaisissa konfiguraatioissa. Yleisimpiä ovat yksi alapuolen ohjain, yksi yläpuolen ohjain sekä ylä/alapuolen kaksoisohjain.

Ensimmäisessä tapauksessa tehokomponentti (kytkin) on kytketty kuorman ja maan väliin, kun taas kuorma on jännitetason ja kytkimen välissä (kuva 1). (Huomaa, että tätä maadoitusta olisi asianmukaisempaa kutsua ”yhteismaadoitukseksi”, koska varsinaista kytkentää suojamaahan ei ole. Tämä on yhteinen 0 voltin jännitetason määrittävä kohta piirissä.)

Kuva 1: Alapuolen konfiguraatiossa ohjain ja kytkin asetetaan kuorman ja piirin maapotentiaalin/referenssimaan väliin. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Vastaavasti yläpuolen konfiguraatiossa kytkin on kytketty suoraan jännitetasoon, kun taas kuorma on kytkimen ja maapotentiaalin/referenssimaan välissä (kuva 2).

Kuva 2: Yläpuolen konfiguraatiossa kytkin vaihtaa paikkaa kuorman ja jännitetason suhteen. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Toinen laajalti käytetty topologia on ylä/alapuolen parikytkentä, jolla ohjataan kahta kytkintä siltakonfiguraatiossa (kuva 3).

Kuva 3: Yhdistetyssä ylä/alapuolen parikytkennässä kahta kytkintä ohjataan vuorotellen ja kuorma on niiden välissä. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Entä erotus?

Ylä/alapuolen konfiguraatio edellyttää kahden piiritoiminnon lisäämistä kuvassa 4 esitetyllä tavalla:

Kuva 4: Ylä/alapuolen konfiguraatio edellyttää myös kelluvaa virtalähdettä yläpuolelle ja tasomuunninta ohjaussignaalille. (Kuvan lähde: Talema Group)

Ylempi (yläpuolen) ohjain ja kytkinlaite ovat ”kelluvia”. Niillä ei ole referenssiä maatasoon, mikä johtaa toiseen vaatimukseen monissa hilaohjain/virtakytkinkonfiguraatioissa: galvaanisen erotuksen tarve ohjaustoiminnon ja käytettävän kytkimen välillä.

Erotus tarkoittaa, että sähkövirralle ei ole reittiä erotussuojauksen ylitse puolelta toiselle. Signaalitietojen on silti kuljettava sen läpi. Tämä erotus voidaan toteuttaa optoeristimillä, muuntajilla tai kondensaattoreilla.

Järjestelmässä olevien toiminnallisten piirien välinen sähköinen erotus estää niiden välisen suoran reitin sähkövirralle, jolloin yksittäisillä piireillä voi olla erilaiset maapotentiaalit. Erotussuojauksen on kestettävä jännitetason koko jännite (plus turvamarginaali), joka voi vaihdella kymmenistä volteista tuhansiin voltteihin. Useimmat erottimet on suunniteltu täyttämään helposti useiden tuhansien volttien vaatimuksen.

Vaikka yläpuolen hilaohjaimet saattavat topologiasta riippuen vaatia erottamista toimiakseen oikein, invertterien ja muuntimien hilaohjainpiirit vaativat usein sähköistä erotusta jo turvallisuussyistä, jotka eivät liity niiden maadoitustilaan. Lakisääteiset vaatimukset ja turvallisuussertifioinnit vaativat erotusta, jotta sähköiskujen vaara voidaan estää ja varmistaa, että korkea jännite ei pysty saavuttamaan käyttäjää. Se suojaa myös pienjännite-elektroniikkaa suurjännitepiirin vioista ja inhimillisistä virheistä johtuvilta vaurioilta.

Monet tehokomponenttien konfiguraatiot edellyttävät erotettua hilaohjainpiiriä. Ylä- ja alakytkimiä käytetään esimerkiksi sellaisissa tehomuunnintopologioissa kuten puolisilta, täysi silta, jännitteenalennus, kaksikytkiminen suoraan tehonsiirtoon perustuva ja aktiivinen rajoitettu suoraan tehonsiirtoon perustuva topologia, koska alapuolen ohjaimilla ei voida ohjata suoraan ylempiä tehokomponentteja.

Ylemmät tehokomponentit vaativat erotetun hilaohjaimen ja ”kelluvat” signaalit, koska niillä ei ole yhteyttä maapotentiaaliin. Jos niillä olisi, ne saisivat oikosulkuun oman komplementaarisen ohjaimensa ja virtakytkimen. Tämän vaatimuksen ja tekniikan kehityksen ansiosta on saatavilla hilaohjaimia, jotka sisältävät myös erotuksen, jolloin erillisiä erotuslaitteita ei tarvita. Tämä puolestaan yksinkertaistaa suurjännitepuolen layoutia ja helpottaa määräysten täyttämistä.

Ohjaimen ja kytkinlaitteen välisen suhteen hienosäätö

Hilaohjainpiirien on tuettava SiC MOSFET ‑transistoreiden korkeita kytkentänopeuksia. Niiden muuttumisnopeus voi olla jopa 50 kilovolttia mikrosekuntia (kV/μs) kohti tai enemmän ja niiden kytkentätaajuus voi olla yli 100 kHz. Piikomponentteja ohjataan tyypillisesti 12 voltin jännitteellä kun ne kytketään päälle ja 0 voltin jännitteellä kun ne kytketään pois päältä.

Toisin kuin piikomponentit, SiC MOSFET ‑komponentit tarvitsevat yleensä +15...+20 volttia päälle kytkemiseen ja −5...0 volttia kytkemiseen pois päältä. Siksi ne saattavat tarvita ohjainpiirin, jossa on kaksi tuloa, yksi päälle kytkemiseen tarvittavalle jännitteelle ja toinen pois päältä kytkemiseen tarvittavalle jännitteelle. SiC MOSFET ‑transistorien vastus johtavassa tilassa on alhainen vain, kun niitä ohjataan suositellulla 18–20 voltin hila-lähdejännitteellä (V_gs), joka on huomattavasti korkeampi kuin MOSFET-piitransistorien tai IGBT-transistoreiden käyttöön tarvittava 10–15 V_gs.

Toinen ero piin ja piikarbidin välillä on se, että piikarbidikomponentin sisäisen nolladiodin estosuuntainen elpymisvaraus (Q_rr) on melko alhainen. Ne vaativat hilaohjausta korkealla virralla, joka syöttää tarvittavan hilavarauksen tarpeeksi nopeasti (Q_g).

Hilaohjaimen ja kytkentälaitteen hilan välisen sopivan suhteen varmistaminen on erittäin tärkeää. Yksi tärkeä vaihe tässä on määrittää optimaalinen arvo ohjaimen ja kytkentälaitteen välissä sijaitsevalle ulkoiselle hilavastukselle R_G,ext (kuva 5). Tehokomponentissa on myös sisäistä hilavastusta, R_G,int, joka on sarjassa ulkoisen vastuksen kanssa, mutta käyttäjä ei voi vaikuttaa tähän arvoon, vaikka se onkin tärkeä.

Kuva 5: On tärkeää määrittää sopiva arvo ohjaimen ja tehokomponentin väliselle ulkoiselle hilavastukselle komponenttiparin suorituskyvyn optimoimiseksi. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Tämän vastuksen arvon määrittäminen on nelivaiheinen prosessi, johon yleensä liittyy iterointia, koska joitakin komponenttiparin suorituskyvyn osia on testattava käytännössä analyysin ja mallinnuksen jälkeen. Lyhyesti sanottuna yleinen menettelytapa on seuraava:

Vaihe 1: Määritä huippuvirta (I_g) teknisissä tiedoissa esitettyjen arvojen perusteella ja valitse sopiva hilaohjain.

Vaihe 2: Laske ulkoisen hilavastuksen arvo (R_G,ext) käyttökohteen hilajännitteen vaihtelun perusteella.

Vaihe 3: Laske hilaohjainpiirin ja ulkoisen hilavastuksen odotettu tehohäviö (P_D).

Vaihe 4: Vahvista laskelmat käytännön testeillä määrittääksesi, onko ohjain riittävän tehokas ohjaamaan transistoria ja onko tehohäviö sallituissa rajoissa:

1. Varmista, etteivät dv/dt-transientit aiheuta pahimmissa mahdollisissa olosuhteissa loisvirran aiheuttamaa päällekytkentää.
2. Mittaa hilaohjainpiirin lämpötila vakaan toiminnan aikana.
3. Laske vastuksen huipputeho ja vertaa sitä sen yksittäispulssiluokitukseen.

Nämä mittaukset vahvistavat, johtavatko oletukset ja laskelmat SiC MOSFET ‑komponentin turvalliseen kytkentäkäyttäytymiseen (ei värähtelyä, oikea ajoitus). Jos näin ei ole, suunnittelijan on muutettava ulkoisen hilavastuksen arvoa ja toistettava vaiheet 1–4.

Kuten lähes kaikissa suunnittelupäätöksissä, komponenttiarvon valintaan liittyy useiden suorituskykytekijöiden välisiä kompromisseja. Jos piirissä esimerkiksi esiintyy värähtelyä, hilavastuksen muuttaminen voi poistaa sen. Vastusarvon kasvattaminen laskee dv/dt-muuttumisnopeutta, koska transistorin nopeus hidastuu. Pienempi vastusarvo johtaa SiC-komponentin nopeampaan kytkentään, mikä synnyttää korkeampia dv/dt-transientteja.

Ulkoisen hilavastuksen arvon kasvattamisen tai pienentämisen laajempi vaikutus kriittisiin hilaohjaimen suorituskykyarvoihin esitetään kuvassa 6.

Kuva 6: Ulkoisen hilavastuksen arvon kasvattaminen tai pienentäminen vaikuttaa moniin suorituskykytekijöihin, joten suunnittelijoiden on tehtävä valinta kompromissien välillä. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Ei tarvetta kompromisseihin

Vaikka kompromissien tekeminen on osa järjestelmäsuunnittelua, sitä voidaan merkittävästi vähentää oikeiden komponenttien valinnalla. Esimerkiksi Infineonin EiceDRIVER-hilaohjainpiirit tarjoavat korkean hyötysuhteen, kohinansiedon ja robustisuuden. Ne ovat lisäksi helppokäyttöisiä ja tarjoavat sellaisia ominaisuuksia kuten nopea oikosulkusuojaus, desaturaation (DESAT) viantunnistus ja -suojaus, aktiivinen Miller-rajoitin, muuttumisnopeuden hallinta, läpilyöntisuojaus, vika-, sammutus- ja ylivirtasuojaus sekä digitaalinen I²C-konfigurointi.

Ohjaimet sopivat hyvin sekä pii- että leveän energiakaistan tehokomponentteihin. Ne vaihtelevat pienitehoisista matalan jännitteen erottamattomista ohjaimista erotettuihin kilovolttien ja kilowattien komponentteihin. Saatavana on myös kahden tai useamman kanavan ohjaimia, jotka ovat hyvä vaihtoehto joihinkin tilanteisiin.

25 voltin alapuolen hilaohjain

Esimerkkinä tarjolla olevista komponenteista mainittakoon 1ED44176N01FXUMA1, joka on 25 voltin alapuolen hilaohjain DS-O8-kotelossa (kuva 7). Tämä matalajännitteinen ja invertoimaton hilaohjain MOSFET-tehotransistoreille ja IGBT-transistoreille käyttää patentoituja lukkiutumissuojattuja CMOS-tekniikoilla, jotka mahdollistavat sen robustin monoliittisen rakenteen. Logiikkatulo on yhteensopiva normaalien 3,3, 5 ja 15 voltin CMOS- tai LSTTL-lähtöjen kanssa, ja se sisältää Schmitt-laukaistut tulot väärien signaalien minimoimiseksi, kun taas lähtöohjaimessa on virtapuskuriaste. Se voi ohjata 50 ampeerin (A) / 650 voltin laitteita jopa 50 kHz:n taajuudella ja se on tarkoitettu erityisesti verkkovirtaa käyttäviin kodinkoneisiin ja infrastruktuuriin, kuten lämpöpumput.

Kuva 7: 1ED44176N01FXUMA1 on pienikokoinen hilaohjain DS-08-kotelossa matalan jännitteen pienitehoisia sovelluksia varten. Siinä käytetään patentoitua lukkiutumissuojattua CMOS-teknologiaa. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

1ED44176N01FXUMA1-piirin avainominaisuuksiin sisältyy tyypillinen 0,8 ampeerin lähdöstä ulossuuntautuva oikosulkupulssivirta (pulssi <10 μsek) 0 voltin jännitteellä, kun taas lähtöön suuntautuva oikosulkupulssivirta on 1,75 ampeeria 15 voltin jännitteellä. Kriittisiin dynaamisiin ominaisuuksiin kuuluu 50/95 nanosekunnin (tyypillinen/maksimi) päälle- ja poiskytkeytymisaika, kun taas päälle kytkeytymisen nousuaika on 50/80 ns (tyypillinen/maksimi) ja pois kytkeytymisen laskuaika on 25/35 ns (tyypillinen/maksimi).

1ED44176N01F-piirin yhdistäminen on suhteellisen yksinkertaista. Siinä on nasta ylivirtasuojauksesta (OCP) ilmoittamista varten ja vikatilalähtö (kuva 8). Lisäksi vian nollausajan asettamista varten on erillinen nasta. EN/FLT-nasta on vedettävä ylös normaalia toimintaa varten, kun taas sen vetäminen alas deaktivoi ohjaimen. V_CC-nastan sisäiset piirit suojaavat alijännitteen aiheuttamalta lukittumiselta pitäen lähtöä alhaalla, kunnes V_CC-syöttöjännite on taas vaadituissa rajoissa. Erilliset logiikka- ja virtamaadoitukset parantavat kohinansietokykyä.

Kuva 8: 1ED44176N01F-hilaohjain on suhteellisen helppo kytkeä suorittimeen ja tehokomponenttiin, sillä siinä on vain kahdeksan nastaa. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Vaikka tämä hilaohjain onkin helposti kytkettävissä, sen ja siihen liittyvän tehokomponentin käyttäjät voivat hyödyntää EVAL1ED44176N01FTOBO1-evaluointikorttia (kuva 9). Tämän kortin avulla suunnittelijat voivat valita virtamittausvastuksen (R_CS) arvon, ylivirta- ja oikosulkusuojauksessa käytettävän RC-suodattimen vastus- ja kondensaattoriarvot sekä vian nollauskondensaattorin arvon. Kortti mahdollistaa myös näiden arvioinnin.

Kuva 9: EVAL1ED44176N01FTOBO1-evaluointikortin avulla suunnittelijat voivat määrittää ja mitata hilaohjaimen ja siihen kytketyn kytkentälaitteen tärkeimmät toimintapisteet. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Korkean jännitteen SiC MOSFET ‑hilaohjain

1EDI3031ASXUMA1 on erotettu ja yksikanavainen 12 ampeerin SiC MOSFET ‑hilaohjain, jonka jänniteluokitus on 5700 V_RMS (kuva 10). Se toimii paljon korkeammalla jännitetasolla kuin verkkovirtaa käyttävien kotitalouslaitteiden hilaohjaimet ja niiden tehokomponentit. Tämä ohjain on yli 5 kW:n automoottoreita varten suunniteltu suurjännitekomponentti, joka tukee 400, 600 ja 1200 voltin SiC MOSFET ‑transistoreja.

Kuva 10: EDI3031AS on erotettu yksikanavainen 12 A:n SiC MOSFET ‑hilaohjain, joka on suunniteltu yli 5 kW:n automoottoreille. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Laitteessa käytetään Infineonin ytimetöntä muuntajateknologiaa (CT) galvaanisen erotuksen toteuttamiseen (kuva 11).

Kuva 11: Galvaaninen erotus saavutetaan käyttämällä patentoitua ytimetöntä muuntajaa, jonka perusperiaate esitellään kuvassa vasemmalla ja rakenne oikealla. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Tämä teknologia tarjoaa useita ominaisuuksia. Se sallii ±2300 voltin tai suuremmat jännitevaihtelut, suojaa negatiivisilta ja positiivisilta transienteilta ja aiheuttaa vain vähäisen tehohäviön. Lisäksi siinä on erittäin vankka signaalinsiirto, joka on riippumaton yhteismuotoisesta kohinasta ja joka tukee yhteismuotoisten transienttien sietoa (CMTI) jopa arvoon 300 V/ns asti. Lisäksi sen tarkka etenemisviiveen sovitus parantaa komponentin toleranssia ja robustisuutta ilman ikääntymisestä, virrasta ja lämpötilasta johtuvia vaihteluita.

1EDI3031ASXUMA1-ohjain tukee jopa 1200 voltin SiC MOSFET ‑komponentteja, tarjoaa koko jännitealueen 12 A:n lähdön ja sen tyypillinen etenemisviive 60 ns. Sen CMTI on jopa 150 V/ns 1000 voltin jännitteellä, ja sen 10 A:n integroitu aktiivinen Miller-rajoitin tukee yksinapaista kytkentää.

Tämä ohjain on tarkoitettu sähköajoneuvojen ja hybridiajoneuvojen vetoinverttereihin sekä molempien lisäinverttereihin. Tästä syystä se sisältää useita turvaominaisuuksia, jotka tukevat ASIL B(D)-luokan luokituksia. Sillä on myös AEC-Q100-tuotevalidointi. Näihin ominaisuuksiin kuuluvat redundantti DESAT ja OCP, hilan ja lähtöasteen valvonta, läpilyöntisuojaus, ensiö- ja toisiosyötön seuranta sekä sisäinen valvonta. 8 kV:n peruseristys täyttää VDE V 0884-11:2017-01 -vaatimukset ja sillä on UL 1577 -ennakkotunnustus.

Tehotasonsa ja autoalan vaatimusten täyttämiseksi 1EDI3031ASXUMA1-ohjain on paljon enemmän kuin tehokas mutta ”tyhmä” laite. Kaikkien turvaominaisuuksiensa lisäksi se käyttää tilakaaviota, joka varmistaa oikean toiminnan (kuva 12). Sen ”intrusiiviset” diagnostiikkaominaisuudet tarjoavat mahdollisuuden siirtyä ”turvalliseen tilaan” järjestelmävian sattuessa.

Kuva 12: Tilakaavio 1EDI3031ASXUMA1-hilaohjaimen käyttötiloista havainnollistaa selkeästi sen sofistikoituneisuutta ja itsetarkistusominaisuuksia. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

1EDI3031ASXUMA1-piirin kanssa työskentelevät suunnittelijat pääsevät nopeasti alkuun käyttämällä 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1-evaluointikorttia EDI302xAS/1EDI303xAS EiceDRIVER ‑hilaohjainperheelle (kuva 13).

Kuva 13: 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1-evaluointikortti, joka on tarkoitettu EDI302xAS/1EDI303xAS EiceDRIVER ‑hilaohjainperheelle, antaa suunnittelijoille mahdollisuuden arvioida tätä erittäin tehokasta ohjainta ja siihen kytkettyä tehokomponenttia. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Tässä monipuolisessa arviointialustassa käytetään puolisiltakonfiguraatiota, joka esitetään kuvassa 14. Siihen voidaan kytkeä joko HybridPACK DSC IGBT ‑moduuli tai erillinen PG-TO247-3-tehokomponentti.

Kuva 14: 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1-evaluointikortissa käytetään erotettua puolisiltakonfiguraatiota, ja sitä voidaan käyttää moduulien ja erilliskomponenttien kanssa. (Kuvan lähde: Infineon Technologies AG)

Tämän evaluointikortin yksityiskohtaiset tekniset tiedot sisältävät kaaviot, materiaaliluettelon, yksityiskohtaiset tiedot siitä, miten ja mihin kytkeä eri liitännät, konfigurointitiedot, toimintosekvenssit ja ledisignaalit sekä paljon muuta.

Yhteenveto

Hilaohjaimet ovat kriittinen rajapinta digitaalisen prosessorilähdön (matala jännite ja teho) sekä piistä tai piikarbidista valmistetun MOSFET-transistorin kaltaisen tehokomponentin hilavaatimusten (korkea jännite, korkea teho ja korkea virta) välillä. Ohjaimen hyvä sovitus tehokomponentin ominaisuuksiin ja vaatimuksiin on ratkaisevan tärkeää, jotta invertterien, moottorikäyttöjen ja valaistusohjainten kaltaisten virtajärjestelmien kytkentäpiiri voisi toimia luotettavasti. Kuten artikkelissa edellä on esitetty, laaja ja syvä valikoima ohjaimia, joka perustuu useisiin kehittyneisiin ja patentoituihin teknologioihin ja jota tukevat evaluointikortit ja -sarjat, auttaa suunnittelijoita löytämään parhaan mahdollisen vaihtoehdon.

Vastaavaa aineistoa

1. Hilaohjaimen valinta piikarbidi-MOSFET-komponentille vaihe vaiheelta
2. Jokainen kytkin tarvitsee ohjaimen
3. Infineon EiceDRIVER™ ‑hilaohjainpiirien valintaopas 2022
4. Hilaohjainpiirit: EiceDRIVER™-hilaohjainpiirit MOSFET-, IGBT-, SiC MOSFET- ja GaN HEMT ‑komponenteille
5. AN2018-03 Alapuolen ohjain, jossa ylivirtasuojaus ja vika/aktivointi 1ED44176N01F Tekninen kuvaus