Teho-ohjainmoduulit

Tulokset : 1 105
Varastointivaihtoehdot
Ympäristövaihtoehdot
Media
Älä sisällytä tuloksiin
1 105Tulokset

Näytetään
/ 1 105
Valm. osa #
Saatavana oleva määrä
Hinta
Sarja
Pakkaus
Tuotteen status
Tyyppi
Konfiguraatio
Virta
Jännite
Jännite - erotus
Luokka
Hyväksyntä
Asennustyyppi
Pakkaus / kotelo
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
3 034
Varastossa
1 : 4,34000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 1,59508 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
1 vaihe
70 A
30 V
-
-
-
Kiinnitys pintaan
39-PowerVFQFN
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3 129
Varastossa
1 : 7,42000 €
Cut Tape (CT)
5 000 : 4,24986 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
Puolisilta
20 A
650 V
-
-
-
Kiinnitys pintaan
30-PowerVQFN
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
109
Varastossa
1 : 14,19000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
265
Varastossa
1 : 19,44000 €
Putki
Putki
Ei uusiin suunnitelmiin
IGBT
3 vaihe
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Läpivientiaukko
27-PowerDIP-moduuli (1,205", 30,60mm)
STK541UC62K-E
STK541UC62K-E
MOD IPM 600V 10A 23PWRSIP
onsemi
160
Varastossa
1 : 20,12000 €
Putki
-
Putki
Ei uusiin suunnitelmiin
IGBT
3 vaihe
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
23-PowerSIP-moduuli, 19 johtoa, muotojohdot
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1 464
Varastossa
1 : 22,29000 €
Cut Tape (CT)
2 000 : 11,16105 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
Puolisiltainvertteri
55 A
650 V
-
-
-
Kiinnitys pintaan
52-VQFN avoin juotoskohta
27-DIP Module
FNB34060T
PWR DRVR MOD 600V 40A 27PWRDIP
onsemi
290
Varastossa
240
Tehdas
1 : 24,31000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaiheenkäännin
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Läpivientiaukko
27-PowerDIP-moduuli (1,205", 30,60mm)
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
176
Varastossa
1 : 30,63000 €
Cut Tape (CT)
250 : 21,12904 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
Puolisiltainvertteri
55 A
650 V
-
Autoteollisuus
AEC-Q100
Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna
52-VQFN avoin juotoskohta
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IM818LCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
291
Varastossa
1 : 31,68000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaiheenkäännin
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,094", 27,80mm)
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
166
Varastossa
1 : 74,69000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
MOSFET
3 vaiheenkäännin
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,094", 27,80mm)
30-QFN
NV6127
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 830
Varastossa
1 : 5,07000 €
Cut Tape (CT)
5 000 : 2,64235 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
Puolisilta
12 A
650 V
-
-
-
Kiinnitys pintaan
30-PowerVQFN
162
Varastossa
1 : 9,01000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
554
Varastossa
1 : 9,10000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
205
Varastossa
1 : 10,08000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGCM20F60GAXKMA1
IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD
Infineon Technologies
279
Varastossa
1 : 11,69000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB41560
MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
onsemi
212
Varastossa
1 : 13,24000 €
Putki
Putki
Ei uusiin suunnitelmiin
IGBT
3 vaihe
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
26-PowerDIP-moduuli (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
184
Varastossa
1 : 13,53000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM20R60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
180
Varastossa
1 : 14,20000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
2 vaihe
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM30F60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
208
Varastossa
1 : 15,80000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
123
Varastossa
1 : 17,60000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
MOSFET
3 vaiheenkäännin
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,028", 26,10mm)
245
Varastossa
1 : 36,51000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaiheenkäännin
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Läpivientiaukko
24-PowerDIP-moduuli (1,094", 27,80mm)
FNA21012A
FNA25060
MOD SPM 600V 50A SPMCA-A34
onsemi
36
Varastossa
18 984
Tehdas
1 : 57,75000 €
Putki
Putki
Aktiivinen
IGBT
3 vaihe
50 A
600 V
2500Vrms
-
-
Läpivientiaukko
34-PowerDIP-moduuli (1,480", 37,60mm)
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8 700
Varastossa
1 : 2,22000 €
Cut Tape (CT)
5 000 : 0,63910 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
1 vaihe
30 A
-
-
-
-
Kiinnitys pintaan
22-PowerVFQFN-moduuli
NV6115
NV6115
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
948
Varastossa
1 : 3,45000 €
Cut Tape (CT)
5 000 : 1,71860 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
Puolisilta
8 A
650 V
-
-
-
Kiinnitys pintaan
8-PowerVDFN
NV6115
NV6117
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
925
Varastossa
1 : 5,07000 €
Cut Tape (CT)
5 000 : 2,64235 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
MOSFET
Puolisilta
12 A
650 V
-
-
-
Kiinnitys pintaan
8-PowerVDFN
Näytetään
/ 1 105

Teho-ohjainmoduulit


Teho-ohjainmoduulit sisältävät fyysisesti tehokomponentit, tavallisesti IGBT:t ja MOSFET:it, joko puolisilta- tai yksi-, kaksi- tai kolmivaihekonfiguraatiossa. Tehopuolijohteet tai sirut on juotettu tai sintrattu substraattiin, joka sisältää tehopuolijohteet ja joka tarjoaa sähköisen ja termisen kontaktin sekä sähköisen eristyksen haluttuihin kohtiin. Tehomoduulit tarjoavat korkean energiatiheyden ja niiden jäähdytys on monissa tapauksissa luotettavampaa ja helpompaa.