XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

XP3R303GMT-L on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,00000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XP3R303GMT-L
DigiKeyn tuotenumero	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Rullattu teippi (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Cut Tape (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	YAGEO XSEMI
Valmistajan tuotenumero	XP3R303GMT-L
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PMPAK® 5 x 6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	YAGEO XSEMI
Sarja	XP3R303
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	31A (Ta), 105A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2240 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PMPAK® 5 x 6
Pakkaus / kotelo	8-PowerLDFN