XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

XP3R303GMT-L on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,11421 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XP3R303GMT-L
DigiKeyn tuotenumero	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Rullattu teippi (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Cut Tape (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	YAGEO XSEMI
Valmistajan tuotenumero	XP3R303GMT-L
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PMPAK® 5 x 6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,3mOhm @ 30A, 10V
Valm. YAGEO XSEMI	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Sarja XP3R303	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Vanhentunut	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2240 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 5W (Ta), 56,8W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 31A (Ta), 105A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PMPAK® 5 x 6
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerLDFN

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (1)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
XP3NA3R4AMT	YAGEO XSEMI	0	5048-XP3NA3R4AMTTR-ND	0,11421 €	MFR Recommended

Vanhentunut

Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.

XP3R303GMT-L