Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 2.52255 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SUD50N04-8M8P-4GE3
DigiKeyn tuotenumero	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SUD50N04-8M8P-4GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SUD50N04-8M8P-4GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2400 pF @ 20 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 14A (Ta), 50A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SUD50
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,8mOhm @ 20A, 10V