SQM60030E_GE3 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 2,42000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQM60030E_GE3

DigiKeyn tuotenumero
SQM60030E_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR)
SQM60030E_GE3CT-ND - Cut Tape (CT)
SQM60030E_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
SQM60030E_GE3
Kuvaus
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
SQM60030E_GE3 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Valm.
Vgs (maks.)
±20V
Sarja
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
12000 pF @ 25 V
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Tehohäviö (maks.)
375W (Tc)
Osan tila
Vanhentunut
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi
Luokka
Autoteollisuus
Teknologia
Hyväksyntä
AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
80 V
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Valmistajan laitepakkaus
TO-263 (D2PAK)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Pakkaus / kotelo
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3,2mOhm @ 30A, 10V
Päätuotenumero
Vgs(th) (maks.) @ Id
3,5V @ 250µA
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Korvaa (1)
OsanumeroValmistaja Saatavana oleva määräDigiKeyn tuotenumero Yksikköhinta Korvaava tyyppi
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix0742-SQJ180EP-T1_GE3CT-ND2,42000 €MFR Recommended
Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.