Name: SQJB00EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB00EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.1084 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJB00EP-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQJB00EP-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQJB00EP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJB00EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJB00EP-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Valmistajan vakio toimitusaika	39 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 60V 30A (Tc) 48W Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQJB00EP-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 35nC @ 10V
Valmistaja Vishay Siliconix	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1700pF @ 25V
Sarja TrenchFET®	Teho - maksimi 48W
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Osan tila Aktiivinen	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (kaksinkertainen)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 30A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V	Päätuotenumero SQJB00
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 250µA