Name: SQJA20EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJA20EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.29665 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJA20EP-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQJA20EP-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQJA20EP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJA20EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJA20EP-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 22,5A (Tc) 68W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQJA20EP-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Sarja TrenchFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 68W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 22,5A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 10A, 10V	Päätuotenumero SQJA20
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 250µA