Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.7068 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJ912DEP-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJ912DEP-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 40V 30A (Tc) 27W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQJ912DEP-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7,3mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	36nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	-
Teho - maksimi	27W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8, kaksikanavainen
Päätuotenumero	SQJ912