Name: SQJ454EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ454EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.1335 EUR
Availability: OutOfStock

SQJ454EP-T1_GE3 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Parametrisesti vastaava

Vishay Siliconix

Varastossa: 4 685

Yksikköhinta : 1,70000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJ454EP-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQJ454EP-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQJ454EP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJ454EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJ454EP-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 13A (Tc) 68W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQJ454EP-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 85 nC @ 10 V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Sarja TrenchFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2600 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 68W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 145mOhm @ 7,5A, 10V	Päätuotenumero SQJ454
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA