Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.6606 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQ4949EY-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQ4949EY-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 7,5A (Tc) 3,3W Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 30nC @ 10V
Valmistaja Vishay Siliconix	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1020pF @ 25V
Sarja TrenchFET®	Teho - maksimi 3,3W
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Osan tila Aktiivinen	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Konfiguraatio 2 P-kanavaa (kaksinkertainen)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30V	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 7,5A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5,9A, 10V	Päätuotenumero SQ4949
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA