Name: SQ4917CEY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4917CEY-T1_GE3TR-ND
Price: 1.99545 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQ4917CEY-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SQ4917CEY-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SQ4917CEY-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SQ4917CEY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQ4917CEY-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQ4917CEY-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 P-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	48mOhm @ 4,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	65nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1910pF @ 30V
Teho - maksimi	5W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Valmistajan laitepakkaus	8-SOIC
Päätuotenumero	SQ4917