Name: SQ4431EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4431EY-T1_GE3TR-ND
Price: 1.94525 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQ4431EY-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQ4431EY-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQ4431EY-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQ4431EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQ4431EY-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 10,8A (Tc) 6W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Sarja TrenchFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1265 pF @ 15 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 6W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi P-kanava	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10,8A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V	Päätuotenumero SQ4431
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA