SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQ2315ES-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQ2315ES-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±8V
Sarja TrenchFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 870 pF @ 4 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 2W (Tc)
Osan tila Vanhentunut	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
FET-tyyppi P-kanava	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 12 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus SOT-23-3 (TO-236)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,8V, 4,5V	Pakkaus / kotelo TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3,5A, 10V	Päätuotenumero SQ2315
Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250µA

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	3 000	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	0,78000 €	Suora
SQ2315CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND	0,54000 €	MFR Recommended