Name: SQ2310CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2310CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.79065 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQ2310CES-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SQ2310CES-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SQ2310CES-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SQ2310CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQ2310CES-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 6A (Tc) 2W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQ2310CES-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	590 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 3 425

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)