
SIZF914DT-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKeyn tuotenumero | 742-SIZF914DT-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) |
Valmistaja | |
Valmistajan tuotenumero | SIZF914DT-T1-GE3 |
Kuvaus | MOSFET 2N-CH 25V 23.5A 8PWRPAIR |
Valmistajan vakio toimitusaika | 55 viikkoa |
Asiakkaan referenssi | |
Tarkka kuvaus | MOSFETit - ryhmät 25V 23,5A (Ta), 40A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 3,4W (Ta), 26,6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PowerPair® (6x5) |
Tekniset tiedot | Tekniset tiedot |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) @ Id 2,4V @ 250µA, 2,2V @ 250µA |
Valmistaja Vishay Siliconix | Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 21nC @ 10V, 98nC @ 10V |
Sarja | Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1050pF @ 10V, 4670pF @ 10V |
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) | Teho - maksimi 3,4W (Ta), 26,6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
Osan tila Aktiivinen | Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ) |
Teknologia MOSFET (metallioksidi) | Asennustyyppi Kiinnitys pintaan |
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (kaksinkertainen) | Pakkaus / kotelo 8-PowerWDFN |
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 25V | Valmistajan laitepakkaus 8-PowerPair® (6x5) |
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 23,5A (Ta), 40A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) | Päätuotenumero |
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,8mOhm @ 10A, 10V, 0,9mOhm @ 10A, 10V |
| Määrä | Yksikköhinta | Yhteensä |
|---|---|---|
| 6 000 | 0,68034 € | 4 082,04 € |
| Yksikköhinta ilman ALV-veroa: | 0,68034 € |
|---|---|
| Yksikköhinta ALV-veron kanssa: | 0,85383 € |

