Name: SIZF906DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.3845 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIZF906DT-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIZF906DT-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIZF906DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIZF906DT-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PowerPair® (6x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,8mOhm @ 15A, 10V, 1,17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22nC @ 4,5V, 92nC @ 4,5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Teho - maksimi	38W (Tc), 83W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TA)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN
Valmistajan laitepakkaus	8-PowerPair® (6x5)
Päätuotenumero	SIZF906