SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

SIZ300DT-T1-GE3 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,23644 €

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 3 000

Yksikköhinta : 0,92000 €

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 3 367

Yksikköhinta : 0,94000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIZ300DT-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIZ300DT-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Kiinnitys pintaan 8-PowerPair®
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIZ300DT-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Vanhentunut
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus	Logiikkatasoportti
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11A, 28A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 9,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	400pF @ 15V
Teho - maksimi	16,7W, 31W
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN
Valmistajan laitepakkaus	8-PowerPair®
Päätuotenumero	SIZ300