Name: SISS98DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS98DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.51855 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISS98DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SISS98DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SISS98DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISS98DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISS98DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 14,1A (Tc) 57W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SISS98DN-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	ThunderFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	14,1A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	105mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	14 nC @ 7.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	608 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	57W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8
Päätuotenumero	SISS98