Name: SISS73DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS73DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.34685 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISS73DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SISS73DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SISS73DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISS73DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISS73DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	42 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 150 V 4,4A (Ta), 16,2A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SISS73DN-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Category Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 719 pF @ 75 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 150 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8S
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 4,4A (Ta), 16,2A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8S
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero SISS73
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 10A, 10V