Name: SISS60DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.51 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISS60DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SISS60DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SISS60DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISS60DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 50,1A (Ta), 181,8A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 85.5 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) +16V, -12V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3960 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	FET-ominaisuus Schottky-diodi (runko)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 50,1A (Ta), 181,8A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8S
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8S
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,31mOhm @ 20A, 10V	Päätuotenumero SISS60