Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.8363 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISS5623DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISS5623DN-T1-GE3
Kuvaus	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SISS5623DN-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,6V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1575 pF @ 30 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10,5A (Ta), 36,3A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8S
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8S
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V	Päätuotenumero SISS5623