Name: SISS10DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS10DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9829 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISS10DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SISS10DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SISS10DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISS10DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISS10DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 60A (Tc) 57W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) +20V, -16V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3750 pF @ 20 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 57W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8S
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8S
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SISS10
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,65mOhm @ 15A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 4 032

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	1,58000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	1,98290 €

SISS10DN-T1-GE3