Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.255 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISH615ADN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISH615ADN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8SH
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,5V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 183 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±12V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5590 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8SH
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 22,1A (Ta), 35A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8SH
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 10V	Päätuotenumero SISH615
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,4mOhm @ 20A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 39 680

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)