Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.16715 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISH536DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISH536DN-T1-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8SH
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,25mOhm @ 10A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Sarja TrenchFET® Gen V	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +16V, -12V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1150 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 24,7A (Ta), 67,4A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8SH
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8SH

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 0

Tarkista toimitusaika

Pyydä ilmoitus siitä kun tuotetta on taas saatavana

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)