Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9789 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISH536DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISH536DN-T1-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8SH
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen V
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	24,7A (Ta), 67,4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+16V, -12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1150 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8SH
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8SH

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 1 250

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)