Name: SIS888DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS888DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.4849 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIS888DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIS888DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIS888DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIS888DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIS888DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	42 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 150 V 20,2A (Tc) 52W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,2V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
Sarja ThunderFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 420 pF @ 75 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 52W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TA)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 150 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8S
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 20,2A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8S
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Päätuotenumero SIS888
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 58mOhm @ 10A, 10V