Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.6355 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIS606BDN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIS606BDN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 9,4A (Ta), 35,3A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1470 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 9,4A (Ta), 35,3A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Päätuotenumero SIS606
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 17,4mOhm @ 10A, 10V