Name: SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS176LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7821 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIS176LDN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIS176LDN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIS176LDN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIS176LDN-T1-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 70 V 12,9A (Ta), 42,3A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 10,9mOhm @ 10A, 4,5V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,6V @ 250µA
Sarja TrenchFET® Gen IV	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±12V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1660 pF @ 35 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,6W (Ta), 39W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 70 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 12,9A (Ta), 42,3A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 3,3V, 4,5V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8