Name: SIRS700DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS700DP-T1-GE3TR-ND
Price: 5.38395 EUR
Availability: InStock

SIRS700DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIRS700DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIRS700DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIRS700DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIRS700DP-T1-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 30A (Ta), 127A (Tc) 7,4W (Ta),132W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Ta), 127A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5950 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	7,4W (Ta),132W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	4,29000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	5,38395 €

SIRS700DP-T1-GE3