Name: SIRA18ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.04165 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIRA18ADP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIRA18ADP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIRA18ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIRA18ADP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 30,6A (Tc) 14,7W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIRA18ADP-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +20V, -16V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1000 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 14,7W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 30,6A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,7mOhm @ 10A, 10V	Päätuotenumero SIRA18

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 33 854

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)