Name: SIR626DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR626DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.5642 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIR626DP-T1-RE3
DigiKeyn tuotenumero	SIR626DP-T1-RE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIR626DP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIR626DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIR626DP-T1-RE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIR626DP-T1-RE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 78 nC @ 7.5 V
Sarja TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5130 pF @ 30 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 104W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero SIR626
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,7mOhm @ 20A, 10V