Name: SIR418DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR418DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.1837 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIR418DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIR418DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIR418DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIR418DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIR418DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 40A (Tc) 39W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2410 pF @ 20 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 39W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 40A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V	Päätuotenumero SIR418