Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.4798 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIJK5100E-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIJK5100E-T1-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK®10 x 12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIJK5100E-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,4mOhm @ 80A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 11480 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 17W (Ta), 536W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK®10 x 12
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerBSFN