Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 5.1706 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIJH112E-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIJH112E-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	29 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 8 x 8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIJH112E-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	8050 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 8 x 8
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	SIJH112