Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.71425 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIJH112E-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIJH112E-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 8 x 8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIJH112E-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 8050 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 8 x 8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 23A (Ta), 225A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,8mOhm @ 20A, 10V	Päätuotenumero SIJH112
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA