Name: SIHH068N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.14095 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHH068N60E-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIHH068N60E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIHH068N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHH068N60E-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 34A (Tc) 202W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 8 x 8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIHH068N60E-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	E
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	68mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2650 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	202W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 8 x 8
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	SIHH068