Name: SIHG47N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG47N65E-GE3-ND
Price: 10.3412 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHG47N65E-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHG47N65E-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHG47N65E-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Läpivientiaukko TO-247AC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 273 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5682 pF @ 100 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 417W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 47A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247AC
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 24A, 10V	Päätuotenumero SIHG47