Name: SIHG018N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG018N60E-GE3-ND
Price: 19.327 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHG018N60E-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIHG018N60E-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHG018N60E-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) Läpivientiaukko TO-247AC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	E
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	99A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	23mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	228 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7612 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	524W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247AC
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	SIHG018