Name: SIHG018N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG018N60E-GE3-ND
Price: 20.3561 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHG018N60E-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIHG018N60E-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHG018N60E-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) Läpivientiaukko TO-247AC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 228 nC @ 10 V
Sarja E	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 7612 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 524W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus TO-247AC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 99A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero SIHG018
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 23mOhm @ 25A, 10V