Name: SIHFL9110TR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFL9110TR-GE3TR-ND
Price: 1.1044 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHFL9110TR-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHFL9110TR-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIHFL9110TR-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIHFL9110TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHFL9110TR-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Valmistajan vakio toimitusaika	43 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 100 V 1,1A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-223
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 200 pF @ 25 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 1,1A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus SOT-223
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-261-4, TO-261AA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,2Ohm @ 660mA, 10V	Päätuotenumero SIHFL9110

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 11 639

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	0,88000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	1,10440 €

SIHFL9110TR-GE3