Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 3.263 EUR
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SIHD6N80E-GE3
cms-digikey-product-number	SIHD6N80E-GE3-ND
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIHD6N80E-GE3
cms-description	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
cms-standard-lead-time	24 viikkoa
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanavatyyppi 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-filter-similar-products

cms-show-empty-attributes

cms-category Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Sarja E	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Irtotavara	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 827 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 78W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5,4A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero SIHD6
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 940mOhm @ 3A, 10V

cms-report-product-info-error

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (1)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
TK5P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3 664	TK5P60WRVQCT-ND	2,77000 €	Samankaltainen

Varastossa: 1 972

cms-incoming-leadtime-link

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Irtotavara

cms-manufacturer-standard-package

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,60000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,26300 €

SIHD6N80E-GE3