Name: SIHB33N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60EF-GE3-ND
Price: 8.77245 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHB33N60EF-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIHB33N60EF-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHB33N60EF-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Pakkaustapa Irtotavara	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3454 pF @ 100 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 278W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 33A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-263 (D2PAK)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 98mOhm @ 16,5A, 10V	Päätuotenumero SIHB33

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 966

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Irtotavara

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	6,99000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	8,77245 €

SIHB33N60EF-GE3