Name: SIHB11N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB11N80AE-GE3-ND
Price: 3.32575 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHB11N80AE-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHB11N80AE-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHB11N80AE-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIHB11N80AE-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Sarja E	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 804 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 78W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus TO-263 (D2PAK)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 8A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero SIHB11
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5,5A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 699

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki

Valmistajien vakiokoko

Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,65000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,32575 €

SIHB11N80AE-GE3